具有50多年历史的IEDM是微电子器件领域的顶级会议，在国际半导体技术界享有很高的学术地位和广泛的影响力。IEDM主要报道国际半导体技术方面最新研究进展，是世界知名学术机构（如MIT、Stanford等）和企业（如Intel、IBM等）报告其最新研究成果和技术突破的主要窗口和平台之一。近年来集成电路技术领域的许多重大技术突破都是通过该会议正式宣布的。IEDM上发表论文的数量很大程度上反映出一个单位在相关领域的研究水平。

近日，北京大学微电子学研究院共有5篇研究论文（第一作者单位）被IEDM 2011接收，并于2011年12月在美国华盛顿召开的会议上宣读。这是北京大学在微纳电子器件领域所取得的又一次重要研究进展，也是IEDM接收来自中国大陆同一单位的论文最多的一次，其数量与美国著名高校MIT（6篇第一作者单位）、UC Berkeley（4篇第一作者单位）等相当，表明北京大学在该领域的研究水平持续保持在国际前沿行列。

这5篇论文的内容包括：适于超低功耗应用的新结构硅基隧穿场效应晶体管的性能突破，新型围栅硅纳米线器件中的随机电报噪声，纳米尺度集成电路中动态涨落性的新发现及其机理，新一代阻变存储器操控原理的微观物理与统一模型，基于过渡金属氧化物的阻变存储器的可靠性。

这些论文的研究工作得到了国家973计划、国家自然科学基金和国家科技重大专项的资助。

编辑：碧荷