8月30 日上午，由北京大学物理学院、微纳电子系、人工微结构和介观物理国家重点实验室、微米/纳米加工技术国家级重点实验室联合主办的纪念黄昆先生百年诞辰暨“五校联合半导体物理专门化”学术研讨会在北京大学中关新园科学报告厅举行。黄昆是世界著名物理学家、中国固体和半导体物理学奠基人、杰出的教育家，今年是黄昆百年诞辰，本次研讨会旨在缅怀其求真的科学精神、高尚的道德情操、炽热的爱国情怀和甘为人梯的精神。北京大学副校长田刚院士出席并致辞。会议由北大信息与工程科学部主任、微纳电子学系黄如院士主持。

会议现场

田刚代表北京大学对黄昆表示深切的怀念和崇高的敬意。他高度评价其在固体物理领域取得的多项开拓性卓越成就和甘为人梯，奖掖后学，为中国半导体科技事业的兴起、发展与壮大作出的不可磨灭的贡献。黄昆以毕生的无私奉献诠释了心有大我、至诚报国的浓烈情怀，书写了中国高等教育事业史上光辉的一页，田刚希望当代教育和科技工作者不忘初心，弘扬其为人治学的至善境界、至高追求，接力精神火炬，奋进新的征程，为我国教育科研事业贡献自己的力量。

田刚致辞

北大微纳电子学系王阳元院士、物理学院甘子钊院士和中国科学院半导体所夏建白院士先后作主题发言。

王阳元追溯了黄昆与“五校”联合半导体物理专门化的密切联系。1956年，我国第一个中长期科技规划提出将发展半导体技术作为四项紧急措施之一。“五校”联合半导体物理专门化在北大物理系应运而生。黄昆是决策的主要建议人，也是实施的主要组织者。为期两年的“专门化”系统地培养了我国半导体专业的第一批毕业生，成为我国半导体和集成电路事业的领军人物和中坚力量。

王阳元发言

甘子钊以“纪念黄昆先生百岁诞辰，努力把北京大学建成我国半导体科学技术重要基地”为题，讲述了他与北京大学的深厚渊源。黄昆1937—1941年就读于燕京大学物理系，1942年考取西南联合大学理论物理研究生；1951年回国后，在北京大学物理系任教，把人生中最年富力强的26年奉献给了中国的高等教育事业，而他和夫人李爱扶先生也与北京大学几代师生结下了终生的友谊。

甘子钊发言

夏建白述说了黄昆在中科院半导体研究所的主要工作。1977年，年近花甲的黄昆调任中科院半导体所所长，迎来科研生涯的第二个春天。他牵头成立半导体超晶格国家重点实验室，培养和建立了理论与实验结合、学术气氛活跃的半导体物理研究群体；与年轻同事合作，解决了科学界在超晶格领域存在20多年的疑难问题，开创并发展了我国在材料和固体物理新兴领域的研究工作。

夏建白发言

自由发言环节，60多年前参与“五校”联合半导体物理专门化的老先生、老前辈追忆了黄昆做人、做事、做学问的点滴往事和他严格为师、严谨治学的高尚品格。

11：00，“五校联合半导体物理专门化”学术研讨会正式开始。研讨会由北大物理学院沈波教授主持。北大微纳电子学系杨玉超研究员以“面向类脑智能的神经形态器件”、复旦大学微电子学院陈琳以“柔性神经突触器件及其在类脑神经计算中的应用”、南京大学电子科学与工程学院王欣然以“高性能、低功耗二维晶体管器件与集成技术”、吉林大学冯晶以“面向可穿戴应用的柔性可拉伸有机电致发光器件研究”、厦门大学黄凯以“III族氮化物半导体中的极化激元”、中科院半导体所谭平恒以“二维半导体材料的声子物理研究”、北大物理学院马仁敏研究员以“半导体纳米激光物理与应用”为题，先后报告了在凝聚态物理、微纳电子学领域的最新成果，并进行学术交流。

会后合影

出席纪念活动的有：中国科学院院士王启明、陈佳洱、郑厚植、陈难先、杨应昌、赵光达、秦国刚、夏建白、朱邦芬、郑有炓、李树深、王立军、欧阳颀、刘明，以及来自北京大学、复旦大学、南京大学、吉林大学、清华大学、厦门大学、中科院半导体所、微电子研究所、长春光学精密机械与物理研究所等师生140余人。

个人简介：

黄昆，1919年9月生于北京，祖籍浙江嘉兴。1941年毕业于燕京大学物理系，获理学学士学位；1941—1942年任昆明西南联大物理系助教；1942—1944年就读于西南联大北大研究院，获理学硕士学位；1944—1945年任昆明凤凰山天文台助理研究员；1945—1947年在英国布列斯托（Bristol）大学物理系学习，获哲学博士学位；1947—1948年在英国爱丁堡大学任访问学者；1948—1951年任英国利物浦大学理论物理系博士后研究员；1951年回国。1951—1977年任北京大学物理系教授；1954年起任北大物理系固体物理专门化教研室主任；1960—1966年任北京大学物理系副主任。1977—1983年任中国科学院半导体研究所所长，1983年后任名誉所长。1987—1991年曾任中国物理学会理事长。他先后被选为中国科学院学部委员(院士)(1955年)、瑞典皇家科学院外籍院士(1980年)、第三世界科学院院士(1985年)。 黄昆先后获得1995年度何梁何利基金科学与技术成就奖、2001年度国家最高科学技术奖等多项科技和荣誉奖励。

黄昆是世界著名的物理学家，他对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献，是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。他从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射，以后被称为“黄散射”。这个理论在60年代获实验证实，“黄散射”已发展成为一种能直接研究固体中微观缺陷的有效手段。他的多声子跃迁理论，以“黄－里斯因子”而著称于世。他提出关于描述晶体中光学位移、宏观电场与电极化三者关系的“黄方程”和由此引伸的电磁波与晶格振动的耦合，即后来称为极化激元的重要概念。他与M.Born合著《晶格动力学理论》一书，是一部有世界影响的经典性科学专著。他的理论对信息产业(特别是光电子产业)具有重要的现实指导意义，产生着越来越深远的影响。近年来，他与合作者对半导体超晶格的电子态和声子模开展了系统而富有成效的研究。从“黄散射”到“黄方程”，从“黄－里斯因子”到“玻恩和黄”，以至“黄－朱模型”，黄昆在固体物理学发展史上建树了一块块丰碑；他的贡献是属于全人类的，同时也为中华民族争得了荣耀和尊敬。

半个世纪以来，他不仅对固体物理学作出重大贡献，同时还对高等学校中普通物理、固体物理和半导体物理的教学作出重要贡献。黄昆1951年10月回到祖国，任北京大学物理系教授。回国不久，就全身心地投入到普通物理课的教学工作，他与虞福春、褚圣麟教授等一起革新了普通物理教学，建立起富有特色的普通物理教学体系，对此后几十年北大以至全国的普通物理教学产生巨大影响。

1954年以后，黄昆开始在校内外系统介绍近代固体物理学。1955年首次在本科生中开设《固体物理》这门课程。后来，国家教委根据他的建议将《固体物理》列为物理专业的一门基础课。1965年，黄昆在多年讲授固体物理的基础上撰写了《固体物理学》一书，对我国高校《固体物理学》教学起了重大推动作用。黄昆原著、韩汝琦改编的《固体物理学》于1990年第二届全国高等学校优秀教材评选中荣获国家特等奖。

1955年，黄昆邀请王守武、洪朝生、汤定元三位先生合作在北大物理系为固体物理专门化半导体方向的学生首次开设《半导体物理》课程。此后黄昆对此课程不断加以发展，并与谢希德合作，写出按当时国际标准也十分先进和系统的《半导体物理学》一书，为我国培养半导体专门人才作出了重要贡献。

黄昆同时是我国半导体科技界的一代宗师，他辛勤开拓，奋斗不息，为创建和发展我国半导体科技事业作出重要贡献。为执行国家12年科学技术发展规划、加速半导体科学技术的发展，在黄昆和其他专家的建议下，教育部决定从 1956年暑假起将北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和东北人民大学（现吉林大学）的有关教师，部分优秀的四年级本科生和研究生集中到北京大学，创办五校联合半导体专门化。该专门化由黄昆任主任，谢希德任副主任。两年间培养出半导体方向毕业生200多名，成为我国新兴半导体事业的第一批骨干力量，对我国从无到有地建立和发展半导体科学技术和工业体系起到了不可磨灭的作用。

1977年11月，黄昆调任中国科学院半导体研究所所长。他为半导体所带来了重视基础研究的风尚并培养和建立了理论与实验相结合的物理研究群体，本人也迎来了科学研究第二春。他与合作者提出的超晶格光学声子模模型及准二维系统光学声子模的解析表达式被国际物理学界广泛接受，并称之为“黄朱模型”。为表彰黄昆对固体物理和半导体物理的一系列重大原创性贡献，2001年他被授予国家最高科学技术奖。

2005年7月6日，黄昆在北京逝世，享年86岁。