近日，北京大学工学院席鹏特聘研究员课题组联合香港大学的Wen-Di Li教授课题组、台湾Huan-Cheng Chang课题组以及清华大学黄蕾博士，分别利用受激辐射光淬灭技术（STED）和结构光照明超分辨技术(SIM)，实现了对NV center的超光学极限分辨率的显微成像对比。

受激辐射光淬灭技术（STED）和结构光照明超分辨技术(SIM)作为两种超光学极限分辨显微技术，已经在生命科学领域得到广泛应用。过去，两种超分辨显微技术的特性还没有在同一样品上进行过比较。利用NV center无光漂白的特性，作者对这两种超分辨显微技术的分辨率等参数进行了深入全面的对比研究。利用35nm的NV center纳米钻石颗粒和大块钻石上的NV center点阵实现了对这两种方法对比成像。STED 具有更高的分辨率，然而SIM 具有更大的视场范围。相关成果发表于皇家化学学会出版集团的期刊RSC Advances，于12月16日在线发表（DOI:10.1039/C3RA47240J.）。

席鹏课题组研究生杨旭三为本文第一作者，席鹏为本文通讯作者。席鹏课题组(http://bme.pku.edu.cn/~xipeng/index.htm)的研究领域包括超衍射极限分辨率显微成像、激光共聚焦扫描显微成像、多光子显微成像和光学相干层析成像等。

编辑：歆琴

链接：http://pubs.rsc.org/En/content/articlepdf/2014/ra/c3ra47240j?page=search