近日，被业界誉为“芯片设计国际奥林匹克会议”的国际固态电路大会（ISSCC 2023）在美国旧金山举行。今年恰逢ISSCC70周年大庆，也是自2020年疫情暴发以来首次全线下模式召开的芯片设计领域的国际盛会。北京大学集成电路学院的学子赴美参加此次盛会，报告了各自方向的最新研究成果，与国际同行进行深入交流。

在本届ISSCC上，北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共有6篇高水平论文（《面向边缘AI处理的基于差值求和方式的21.38 TOPS/W的SRAM存内计算芯片》《基于采样热噪声消除和非完全建立相关电平抬升技术的7.9fJ/Conversion-Step，37.12aFrms噪声的流水线逐次逼近型寄存器架构电容-数字转换器芯片》《一款22nmCMOS工艺下利用基于Gm-C的电流注入控制电路实现的0.954nW 32kHz晶体振荡器》“A 128Gb/s PAM-4 Transmitter with Programmable-Width Pulse Generator and Pattern-Dependent Pre-Emphasis in 28nm CMOS”《一款28nm工艺下，基于延迟线技术并支持低频均衡的0.43pJ/b, 200Gb/s，5抽头接收机前馈均衡器》“A 150kHz-BW 15-ENOB Incremental Zoom ADC with Skipped Sampling and Single Buffer Embedded Noise-Shaping SAR Quantizer”）入选，研究成果覆盖了存算一体AI芯片、模拟与数字混合芯片、时钟芯片、高速互连芯片等领域，涉及ISSCC大会全部十二大领域中的4个领域，论文数在国际高校里排名第5，在国际高校和企业里排名第9，这也是北京大学连续4年在ISSCC大会上发表论文。

以上论文的相关研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、北京市科委、浙江省重点研发计划等项目的资助，以及国家集成电路产教融合创新平台、微纳电子器件与集成技术全国重点实验室、微电子器件与电路教育部重点实验室、集成电路高精尖创新中心、集成电路科学与未来技术北京实验室等基地平台和浙江省北大信息技术高等研究院、杭州微纳核芯电子科技有限公司的支持。

ISSCC会议每年2月中旬在美国旧金山举行，是国际公认的规模最大、领域内最权威、水平最高的芯片设计领域学术会议，每年约有200项芯片实测成果入选，约四成的芯片成果来自于国际芯片巨头公司，例如：英特尔、三星、台积电、AMD、英伟达、高通、博通、ADI、TI、联发科等，其余的芯片成果来自于高校和科研院所；历史上入选ISSCC的成果代表着当年度全球领先水平，展现出芯片技术和产业的发展趋势，多项“芯片领域里程碑式发明”在ISSCC首次披露，如：世界上第一个集成模拟放大器芯片（1968年）、第一个8位微处理器芯片（1974年）和32位微处理器芯片（1981年）、第一个1Gb内存DRAM芯片（1995年）、第一个多核处理器芯片（2005年）等。

论文详细内容可见“北京大学集成电路学院”公众号《新闻 | 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心6篇论文入选第70届“芯片设计国际奥林匹克会议”》